Samsung Electronics hat auf der Computex 2026 in Taiwan die HBM5-Technologie vorgestellt. Die Neuheit umfasst ein Wärme-Management-System namens HPB sowie Produktionsfortschritte für die nächste Generation von Speicherchips.
Die HPB-Technologie nutzt eine Wärme-Struktur, die einem Schornstein ähnelt, um den Wärmeübergang zwischen den Chips zu reduzieren. Das System leitet die Wärme vom Hauptchip und vom Basischip über spezielle Wärmeleit-Säulen ab und führt sie zum Wärmeverteiler an der Oberseite des Gehäuses oder nach außen. Samsung hat berichtet, dass diese Methode eine Wärmeableitung ermöglicht, ohne die Struktur der HBM-Hauptchips oder das Layout des HBM-Stapels zu komplizieren.
In HBM5 plant Samsung, den Basischip nach den Normen von 2 nm zu verwenden – im Gegensatz zum Basischip von 4 nm, der in HBM4 und HBM4E eingesetzt wurde. Das Unternehmen setzt GAA-Fertigungsknoten von Samsung Foundry ein, um die Leistung und Energieeffizienz zu steigern. Für die wichtigsten Chips von HBM wird der Interposer-Fertigungstechnologieprozess 1cnm mit teilweiser Implementierung der Hybrid-Bonding-Technologie verwendet.
Das Unternehmen erklärte, dass es bereit ist, die HCB-Technologie auszurollen, und über Daten zur GAA aus den letzten drei bis vier Jahren verfügt.
Analysten von Citi bemerkten: „Wir erwarten, dass Samsung Electronics die thermische Stabilität von HBM erheblich erhöhen wird, indem HPB-Technologie eingeführt wird, die bereits in Samsungs mobilem SoC – Exynos 2600 – eingesetzt wird“.
Analysten fügten außerdem hinzu, dass Samsung seinen Fertigungsknoten von 2 nm für die Herstellung des Basischips von HBM5 verwenden wird und so eine Synergie zwischen den Speicher- und den Vertragsfertigungsbereichen schafft.
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